Полупроводники и производственные решения

Процесс производства полупроводников чрезвычайно сложен, и уплотнения неизменно размещаются в тех областях технологической системы производства, где они должны выдерживать воздействие агрессивных жидкостей, газов и плазмы, часто при повышенных температурах или в условиях вакуума.

Мы сотрудничаем с нашими заказчиками, помогая им подобрать оптимальный материал и конструкцию уплотнений для максимальной производительности оборудования для производства полупроводников. Увеличение срока службы и увеличение среднего периода между плановыми техническими обслуживаниями сокращают время простоя и повышают эффективность производства и производительность, надежность технологического процесса и минимизируя общую стоимость владения.
Процесс производства полупроводников чрезвычайно сложен, и уплотнения неизменно размещаются в тех областях технологической системы производства, где они должны выдерживать воздействие агрессивных жидкостей, газов и плазмы, часто при повышенных температурах или в условиях вакуума.

Мы сотрудничаем с нашими заказчиками, помогая им подобрать оптимальный материал и конструкцию уплотнений для максимальной производительности оборудования для производства полупроводников. Увеличение срока службы и увеличение среднего периода между плановыми техническими обслуживаниями сокращают время простоя и повышают эффективность производства и производительность, надежность технологического процесса и минимизируя общую стоимость владения.
Постоянная миниатюризация

История этих маленьких волшебных устройств берёт своё начало в 1947 году, когда группа инженеров из Bell Labs (США) создала первый транзистор. Оригинальная интегральная схема (ИС), состоящая из множества транзисторов на одном кремниевом кристалле, была изготовлена компанией Texas Instruments в 1958 году. В 1960 году инженер Джек Килби (Jack Kilby) изготовил первый полупроводник на основе оксида металла (metal oxide semiconductor, MOS).

Технология, лежащая в основе полупроводниковых приборов, со временем претерпела значительные изменения, особенно в плане их миниатюризации. В 1965 году Гордон Мур, соучредитель компании Intel, заявил, что количество транзисторов, которые могут поместиться на одной площадке (кремния), будет удваиваться каждые два года. Несколько лет спустя он пересмотрел своё утверждение, которое теперь известно как «закон Мура», и сказал, что количество транзисторов на интегральной микросхеме будет удваиваться каждые 18−24 месяца; поразительное предсказание, которое до сих пор подтверждалось.

В самой первой интегральной схеме были только 16-транзисторные микросхемы с размером элемента 40 микрометров (40 000 нм), что составляет примерно половину толщины человеческого волоса. В современных микросхемах их миллиарды, размер которых меньше 10 нм, или стомиллионной доли миллиметра.

Микрочипы изготавливаются на промышленных предприятиях, которые, по сути, представляют собой гигантские чистые помещения с чрезвычайно дорогим специализированным производственным оборудованием. Большая часть этого оборудования требует герметизации, которая может выдержать особенно суровые условия обработки, внедрённые на производстве. Крайне важно, чтобы при работе уплотнений не выделялись твёрдые частицы и газы, так как это может привести к повреждению мельчайших электронных компонентов, к так называемому «смертельному дефекту».

Увеличение срока службы уплотнений является ключом к увеличению интервалов планового технического обслуживания. Это может снизить общую стоимость владения производством полупроводников, но, что ещё более важно, оптимизировать выпуск продукции. На этих производственных линиях с большим объёмом производства важна каждая секунда, и необходимо избегать аварийных простоев.
Постоянная миниатюризация

История этих маленьких волшебных устройств берёт своё начало в 1947 году, когда группа инженеров из Bell Labs (США) создала первый транзистор. Оригинальная интегральная схема (ИС), состоящая из множества транзисторов на одном кремниевом кристалле, была изготовлена компанией Texas Instruments в 1958 году. В 1960 году инженер Джек Килби (Jack Kilby) изготовил первый полупроводник на основе оксида металла (metal oxide semiconductor, MOS).

Технология, лежащая в основе полупроводниковых приборов, со временем претерпела значительные изменения, особенно в плане их миниатюризации. В 1965 году Гордон Мур, соучредитель компании Intel, заявил, что количество транзисторов, которые могут поместиться на одной площадке (кремния), будет удваиваться каждые два года. Несколько лет спустя он пересмотрел своё утверждение, которое теперь известно как «закон Мура», и сказал, что количество транзисторов на интегральной микросхеме будет удваиваться каждые 18−24 месяца; поразительное предсказание, которое до сих пор подтверждалось.

В самой первой интегральной схеме были только 16-транзисторные микросхемы с размером элемента 40 микрометров (40 000 нм), что составляет примерно половину толщины человеческого волоса. В современных микросхемах их миллиарды, размер которых меньше 10 нм, или стомиллионной доли миллиметра.

Микрочипы изготавливаются на промышленных предприятиях, которые, по сути, представляют собой гигантские чистые помещения с чрезвычайно дорогим специализированным производственным оборудованием. Большая часть этого оборудования требует герметизации, которая может выдержать особенно суровые условия обработки, внедрённые на производстве. Крайне важно, чтобы при работе уплотнений не выделялись твёрдые частицы и газы, так как это может привести к повреждению мельчайших электронных компонентов, к так называемому «смертельному дефекту».

Увеличение срока службы уплотнений является ключом к увеличению интервалов планового технического обслуживания. Это может снизить общую стоимость владения производством полупроводников, но, что ещё более важно, оптимизировать выпуск продукции. На этих производственных линиях с большим объёмом производства важна каждая секунда, и необходимо избегать аварийных простоев.
Особые требования к герметизации в сложных условиях эксплуатации

В течение некоторого времени процесс, лежащий в основе производства полупроводников, был доведён до наноразмерного уровня и в настоящее время расширяет границы физики: на сегодняшний день самый передовой технологический узел имеет длину 5 нм, что чуть больше ширины молекулы гемоглобина, а в перспективе — 3 нм. В таких масштабах чистота и минимизация загрязнения имеют жизненно важное значение для производства микрочипов, поскольку транзисторы продолжают уменьшаться в размерах, а каждая пластина содержит сотни миллиардов таких элементов.

Частицы, которые невозможно увидеть невооруженным глазом, могут привести к появлению дефектов на пластинах. Обнаружение источника загрязнения и очистка пластин могут привести к существенной потере времени на начальном этапе процесса производства полупроводников. Более того, металлические примеси в количестве миллионных долей грамма могут изменять электрические свойства пластины и, следовательно, приводить к нарушению работы микрочипов.

Ещё одним фактором, усложняющим герметизацию полупроводников, является то, что, в отличие от других отраслей промышленности, таких как аэрокосмическая и нефтегазовая, здесь нет широко используемых стандартов герметизации. В основном это связано с тем, что каждое предприятие по производству микросхем имеет свои собственные технологические условия, оптимизированные для её собственной продукции. Поэтому требования к уплотнительным материалам очень разные, и не существует универсального решения для всех.

FFKM становится единственным решением

Уплотнения из фторэластомера (FKM) идеально подходят для применения в технологических процессах, где температура не превышает 180 °C. Эти материалы обладают превосходной стойкостью к широкому спектру химических веществ, применяемых в полупроводниковой промышленности, и при этом обладают высокой чистотой при низком уровне проникновения и газовыделения в условиях вакуума.

Идеальным решением для герметизации из эластомеров являются уплотнительные решения Trelleborg Isolast ® Fab Range™. Эти высокоэффективные перфторэластомеры (FFKM) практически инертны и обладают универсальной химической совместимостью. Для термических применений были разработаны специальные марки, способные работать при постоянной температуре до 325 °C.

Экстремальные температуры и химические вещества, используемые в технологических процессах, означают, что только перфторэластомер (FFKM) может противостоять воздействию технологических сред. FFKM обладает эластичностью эластомера и очень схожей химической стойкостью с материалом из политетрафторэтилена (PTFE).

В ассортименте компании Trelleborg Sealing Solutions (TSS) Solar ® Prefab™ FFKM всегда был широкий выбор материалов для производства полупроводников. Компания Trelleborg Sealing Solutions разработала четыре лидирующих на рынке материала, которые полностью соответствуют современным требованиям и, что более важно, потребностям будущих производителей.

Новые передовые материалы отвечают требованиям, предъявляемым к герметизации в самых сложных условиях, возникающих в процессе производства полупроводников, будь то в плазме, при экстремально высоких температурах или при воздействии разрушающих химических веществ. Герметизация в плазменных процессах — особая проблема, связанная с разработкой материалов.
Особые требования к герметизации в сложных условиях эксплуатации

В течение некоторого времени процесс, лежащий в основе производства полупроводников, был доведён до наноразмерного уровня и в настоящее время расширяет границы физики: на сегодняшний день самый передовой технологический узел имеет длину 5 нм, что чуть больше ширины молекулы гемоглобина, а в перспективе — 3 нм. В таких масштабах чистота и минимизация загрязнения имеют жизненно важное значение для производства микрочипов, поскольку транзисторы продолжают уменьшаться в размерах, а каждая пластина содержит сотни миллиардов таких элементов.

Частицы, которые невозможно увидеть невооруженным глазом, могут привести к появлению дефектов на пластинах. Обнаружение источника загрязнения и очистка пластин могут привести к существенной потере времени на начальном этапе процесса производства полупроводников. Более того, металлические примеси в количестве миллионных долей грамма могут изменять электрические свойства пластины и, следовательно, приводить к нарушению работы микрочипов.

Ещё одним фактором, усложняющим герметизацию полупроводников, является то, что, в отличие от других отраслей промышленности, таких как аэрокосмическая и нефтегазовая, здесь нет широко используемых стандартов герметизации. В основном это связано с тем, что каждое предприятие по производству микросхем имеет свои собственные технологические условия, оптимизированные для её собственной продукции. Поэтому требования к уплотнительным материалам очень разные, и не существует универсального решения для всех.

FFKM становится единственным решением

Уплотнения из фторэластомера (FKM) идеально подходят для применения в технологических процессах, где температура не превышает 180 °C. Эти материалы обладают превосходной стойкостью к широкому спектру химических веществ, применяемых в полупроводниковой промышленности, и при этом обладают высокой чистотой при низком уровне проникновения и газовыделения в условиях вакуума.

Идеальным решением для герметизации из эластомеров являются уплотнительные решения Trelleborg Isolast ® Fab Range™. Эти высокоэффективные перфторэластомеры (FFKM) практически инертны и обладают универсальной химической совместимостью. Для термических применений были разработаны специальные марки, способные работать при постоянной температуре до 325 °C.

Экстремальные температуры и химические вещества, используемые в технологических процессах, означают, что только перфторэластомер (FFKM) может противостоять воздействию технологических сред. FFKM обладает эластичностью эластомера и очень схожей химической стойкостью с материалом из политетрафторэтилена (PTFE).

В ассортименте компании Trelleborg Sealing Solutions (TSS) Solar ® Prefab™ FFKM всегда был широкий выбор материалов для производства полупроводников. Компания Trelleborg Sealing Solutions разработала четыре лидирующих на рынке материала, которые полностью соответствуют современным требованиям и, что более важно, потребностям будущих производителей.

Новые передовые материалы отвечают требованиям, предъявляемым к герметизации в самых сложных условиях, возникающих в процессе производства полупроводников, будь то в плазме, при экстремально высоких температурах или при воздействии разрушающих химических веществ. Герметизация в плазменных процессах — особая проблема, связанная с разработкой материалов.
Устойчивость и сопротивление плазме

Плазма — это ионизированный газ, состоящий из положительных ионов, радикалов и свободных электронов в таких пропорциях, которые не дают общего электрического заряда, как правило, при низких давлениях, например, как в верхних слоях атмосферы и люминесцентных лампах. Плазма широко используется в процессах связанных с производством полупроводников, для травления или активации химических веществ.

Полимеры на основе FFKM являются полностью органическими, и поэтому их стойкость к воздействию плазмы достаточно низкая. Для улучшения этого свойства в состав FFKM добавляют компоненты с низким уровнем эрозии — обычно наполнители. Частицы наполнителя защищают полимерную матрицу от воздействия плазмы, тем самым повышая стойкость материала к воздействию плазмы.

В рецептурах FFKM могут использоваться различные типы наполнителей. Каждый из них имеет свои преимущества и недостатки по сравнению с другими, поэтому очень важно правильно подобрать уплотнительный материал для каждого конкретного полупроводникового процесса.
Устойчивость и сопротивление плазме

Плазма — это ионизированный газ, состоящий из положительных ионов, радикалов и свободных электронов в таких пропорциях, которые не дают общего электрического заряда, как правило, при низких давлениях, например, как в верхних слоях атмосферы и люминесцентных лампах. Плазма широко используется в процессах связанных с производством полупроводников, для травления или активации химических веществ.

Полимеры на основе FFKM являются полностью органическими, и поэтому их стойкость к воздействию плазмы достаточно низкая. Для улучшения этого свойства в состав FFKM добавляют компоненты с низким уровнем эрозии — обычно наполнители. Частицы наполнителя защищают полимерную матрицу от воздействия плазмы, тем самым повышая стойкость материала к воздействию плазмы.

В рецептурах FFKM могут использоваться различные типы наполнителей. Каждый из них имеет свои преимущества и недостатки по сравнению с другими, поэтому очень важно правильно подобрать уплотнительный материал для каждого конкретного полупроводникового процесса.
Полностью органические решения

Органические наполнители обеспечивают более высокую чистоту и улучшенные характеристики частиц и, следовательно, меньшее загрязнение. Полимер FFKM и органические наполнители образуют газообразные молекулы при воздействии плазмы. Эти газообразные вещества могут удаляться с помощью вакуума, что означает, что эти материалы обеспечивают очень чистую среду обработки.

В процессе разработки новых материалов для производства полупроводников компания Trelleborg Sealing Solutions стремилась создать материал, который эффективно работает в плазме с использованием органических наполнителей.

В результате был создан Isolast® Purefab JPF 10, который является одним из самых эффективных полностью органических материалов на рынке. Он обеспечивает характеристики герметизации, необходимые для высокозатратных полупроводниковых процессов производства самых современных микрочипов.

Преимущество полностью органического состава заключается в том, что материал обладает непревзойденно низким уровнем образования частиц и превосходными характеристиками касательно выделения газов, что повышает производительность процесса и снижает общую стоимость владения полупроводниковыми процессами. Он обеспечивает превосходную герметизацию при высоких температурах и чистоту.

В некоторых особо важных полупроводниковых процессах требования к уплотнительному материалу могут быть ещё более жёсткими. Например, если длина технологического узла меньше 10 нм, может потребоваться ещё более высокая чистота, если эластомерная деталь находится в непосредственной близости от пластин. Для технологического процесса может потребоваться специально разработанный сверхчистый полупрозрачный материал FFKM без какого-либо наполнителя.

В таких ситуациях Isolast® Purefab JPF30 может соответствовать экстремальным требованиям к чистоте, обеспечивая при этом непревзойденные характеристики при высоких температурах и герметичность по сравнению с другими светопрозрачными материалами FFKM, представленными на рынке.

Неорганические растворы

Неорганические наполнители могут быть на минеральной или синтетической основе, и они обеспечивают превосходную устойчивость к воздействию плазмы по сравнению с органическими наполнителями, поскольку имеют прочную кристаллическую структуру.

Однако, если для конкретного применения полупроводников указан неправильный тип наполнителя или материала, это может привести к большему ущербу, чем к пользе. Например, использование наполнителей с крупным размером частиц или их чрезмерное количество в составе может привести к образованию твёрдых частиц при воздействии плазмы, даже если стойкость к воздействию плазмы будет высокой. Поэтому количество и размер частиц наполнителей в составе FFKM должно быть тщательно подобрано.

В состав Isolast® Purefab JPF20 входит усовершенствованный наполнитель из наночастиц. Благодаря этому наполнитель имеет очень большую площадь поверхности. Это означает, что количество наполнителей в материале значительно ниже, чем в конкурирующих составах, что обеспечивает превосходную стойкость к воздействию плазмы при минимальном содержании частиц без ущерба для общей чистоты материала.

В Isolast® Purefab JPF21 используется ещё одна полностью синтетическая система наполнителей, на основе фтора, обеспечивающая превосходные характеристики при высоких температурах до +320°C и минимальное образование твёрдых частиц при воздействии плазмы.

Зависимость стойкости к воздействию плазмы от чистоты

Выбор правильного уплотнительного материала для полупроводниковых приборов очень важен для достижения оптимального баланса между продлением срока службы уплотнения и вероятностью загрязнения. Поскольку они подвергаются воздействию технологических химикатов, уплотнения, используемые в полупроводниковых приборах, со временем изнашиваются, и очень важно, чтобы пластины не подвергались загрязнению, вызванному изношенными эластомерными уплотнениями.

Между различными типами материалов неизбежно существует компромисс между стойкостью к воздействию плазмы и чистотой. Однако материалы Isolast® Purefab разработаны таким образом, чтобы обеспечить как превосходную стойкость к воздействию плазмы, так и чистоту, максимально расширяя возможности производства полупроводников.

Инновации для будущего

Все материалы «великолепной четверки» зарекомендовали себя в ходе длительных испытаний в самых современных лабораториях по всему миру. Специальные испытания, направленные на продвижение разработки полупроводниковых материалов, включали испытания на плазменную эрозию, длительные механические испытания и испытания на чистоту, а также анализ следов металлов и дегазацию.

Чтобы повысить планку действующих стандартов герметизации и спецификаций для полупроводниковых материалов, результаты были сопоставлены со всеми основными конкурирующими материалами, чтобы продемонстрировать превосходные эксплуатационные характеристики и снизить риски для клиентов при квалификации новых материалов.

Инновации — это основная сила команды разработчиков полупроводниковых решений Trelleborg Sealing Solutions. Например, вертикальная интеграция собственных технологий разработки рецептур материалов, производства и проектирования обеспечивает полный контроль над всем процессом.
Полностью органические решения

Органические наполнители обеспечивают более высокую чистоту и улучшенные характеристики частиц и, следовательно, меньшее загрязнение. Полимер FFKM и органические наполнители образуют газообразные молекулы при воздействии плазмы. Эти газообразные вещества могут удаляться с помощью вакуума, что означает, что эти материалы обеспечивают очень чистую среду обработки.

В процессе разработки новых материалов для производства полупроводников компания Trelleborg Sealing Solutions стремилась создать материал, который эффективно работает в плазме с использованием органических наполнителей.

В результате был создан Isolast® Purefab JPF 10, который является одним из самых эффективных полностью органических материалов на рынке. Он обеспечивает характеристики герметизации, необходимые для высокозатратных полупроводниковых процессов производства самых современных микрочипов.

Преимущество полностью органического состава заключается в том, что материал обладает непревзойденно низким уровнем образования частиц и превосходными характеристиками касательно выделения газов, что повышает производительность процесса и снижает общую стоимость владения полупроводниковыми процессами. Он обеспечивает превосходную герметизацию при высоких температурах и чистоту.

В некоторых особо важных полупроводниковых процессах требования к уплотнительному материалу могут быть ещё более жёсткими. Например, если длина технологического узла меньше 10 нм, может потребоваться ещё более высокая чистота, если эластомерная деталь находится в непосредственной близости от пластин. Для технологического процесса может потребоваться специально разработанный сверхчистый полупрозрачный материал FFKM без какого-либо наполнителя.

В таких ситуациях Isolast® Purefab JPF30 может соответствовать экстремальным требованиям к чистоте, обеспечивая при этом непревзойденные характеристики при высоких температурах и герметичность по сравнению с другими светопрозрачными материалами FFKM, представленными на рынке.

Неорганические растворы

Неорганические наполнители могут быть на минеральной или синтетической основе, и они обеспечивают превосходную устойчивость к воздействию плазмы по сравнению с органическими наполнителями, поскольку имеют прочную кристаллическую структуру.

Однако, если для конкретного применения полупроводников указан неправильный тип наполнителя или материала, это может привести к большему ущербу, чем к пользе. Например, использование наполнителей с крупным размером частиц или их чрезмерное количество в составе может привести к образованию твёрдых частиц при воздействии плазмы, даже если стойкость к воздействию плазмы будет высокой. Поэтому количество и размер частиц наполнителей в составе FFKM должно быть тщательно подобрано.

В состав Isolast® Purefab JPF20 входит усовершенствованный наполнитель из наночастиц. Благодаря этому наполнитель имеет очень большую площадь поверхности. Это означает, что количество наполнителей в материале значительно ниже, чем в конкурирующих составах, что обеспечивает превосходную стойкость к воздействию плазмы при минимальном содержании частиц без ущерба для общей чистоты материала.

В Isolast® Purefab JPF21 используется ещё одна полностью синтетическая система наполнителей, на основе фтора, обеспечивающая превосходные характеристики при высоких температурах до +320°C и минимальное образование твёрдых частиц при воздействии плазмы.

Зависимость стойкости к воздействию плазмы от чистоты

Выбор правильного уплотнительного материала для полупроводниковых приборов очень важен для достижения оптимального баланса между продлением срока службы уплотнения и вероятностью загрязнения. Поскольку они подвергаются воздействию технологических химикатов, уплотнения, используемые в полупроводниковых приборах, со временем изнашиваются, и очень важно, чтобы пластины не подвергались загрязнению, вызванному изношенными эластомерными уплотнениями.

Между различными типами материалов неизбежно существует компромисс между стойкостью к воздействию плазмы и чистотой. Однако материалы Isolast® Purefab разработаны таким образом, чтобы обеспечить как превосходную стойкость к воздействию плазмы, так и чистоту, максимально расширяя возможности производства полупроводников.

Инновации для будущего

Все материалы «великолепной четверки» зарекомендовали себя в ходе длительных испытаний в самых современных лабораториях по всему миру. Специальные испытания, направленные на продвижение разработки полупроводниковых материалов, включали испытания на плазменную эрозию, длительные механические испытания и испытания на чистоту, а также анализ следов металлов и дегазацию.

Чтобы повысить планку действующих стандартов герметизации и спецификаций для полупроводниковых материалов, результаты были сопоставлены со всеми основными конкурирующими материалами, чтобы продемонстрировать превосходные эксплуатационные характеристики и снизить риски для клиентов при квалификации новых материалов.

Инновации — это основная сила команды разработчиков полупроводниковых решений Trelleborg Sealing Solutions. Например, вертикальная интеграция собственных технологий разработки рецептур материалов, производства и проектирования обеспечивает полный контроль над всем процессом.
Isolast® Purefab

Isolast® Purefab — это запатентованный компанией Trelleborg Sealing Solutions бренд материалов для производства полупроводников, который обеспечивает исключительную чистоту и эксплуатационные характеристики. Соединения проходят тщательные испытания для подтверждения своих свойств. Кроме того, все детали изготавливаются, очищаются и упаковываются в чистых помещениях, чтобы избежать загрязнения частицами из окружающей среды.

JPF10

Полностью органическая рецептура для использования в наиболее важных полупроводниковых процессах. Материал обеспечивает чрезвычайно низкое содержание остаточных металлов и превосходную герметичность в условиях агрессивного технологического процесса и температур свыше +300 °C, а также превосходную стойкость к воздействию плазмы в широком диапазоне технологических газов, включая NF3. Благодаря низкому образованию частиц и отличным характеристикам удаления газов Isolast® Purefab JPF10 позволяет повысить производительность процесса и снизить общую стоимость владения полупроводниковыми процессами.

Применение:

  • Процессы осаждения: PECVD, HDPCVD, PEALD
  • Процессы травления: ALE, сухое травление
  • Уплотнения крышки камеры
  • Уплотнения на входе газа
  • Дверцы щелевых клапанов с клеевым соединением
Isolast® Purefab

Isolast® Purefab — это запатентованный компанией Trelleborg Sealing Solutions бренд материалов для производства полупроводников, который обеспечивает исключительную чистоту и эксплуатационные характеристики. Соединения проходят тщательные испытания для подтверждения своих свойств. Кроме того, все детали изготавливаются, очищаются и упаковываются в чистых помещениях, чтобы избежать загрязнения частицами из окружающей среды.

JPF10

Полностью органическая рецептура для использования в наиболее важных полупроводниковых процессах. Материал обеспечивает чрезвычайно низкое содержание остаточных металлов и превосходную герметичность в условиях агрессивного технологического процесса и температур свыше +300 °C, а также превосходную стойкость к воздействию плазмы в широком диапазоне технологических газов, включая NF3. Благодаря низкому образованию частиц и отличным характеристикам удаления газов Isolast® Purefab JPF10 позволяет повысить производительность процесса и снизить общую стоимость владения полупроводниковыми процессами.

Применение:

  • Процессы осаждения: PECVD, HDPCVD, PEALD
  • Процессы травления: ALE, сухое травление
  • Уплотнения крышки камеры
  • Уплотнения на входе газа
  • Дверцы щелевых клапанов с клеевым соединением
JPF20

Перфторэластомерное соединение с превосходной стойкостью к воздействию кислорода и плазмы на основе фтора, проявляющее отличные характеристики как в плазме, богатой радикалами, так и в плазме, богатой ионами. Благодаря усовершенствованной системе наполнения наночастицами Isolast® Purefab JPF20 обеспечивает максимальную устойчивость к воздействию плазмы при минимальном образовании частиц.

Применение:

• Процессы травления: сухое травление, аэрозольное травление, диэлектрическое травление
• Уплотнения крышки камеры
• Уплотнения плазменной насадки для душа и нагнетательной трубки
• Дверцы щелевых клапанов с клеевым соединением

JPF21

Универсальный перфторэластомер для травления, осаждения и термических процессов. Он обладает превосходной термостойкостью, которая обеспечивает постоянную стабильность при температуре до +320 °C с колебаниями до +327 °C.

Применение:

• Процессы травления: диэлектрическое травление
• Процессы осаждения: AND, PEALD, SACVD
• Термические процессы: окисление, диффузия, RTP
• Уплотнения крышки камеры
• Уплотнения плазменной насадки для душа и трубки подачи
• Склеенные дверцы щелевых клапанов

JPF30

Высокочистый полупрозрачный компаунд FFKM, разработанный для самых важных применений в полупроводниках. Этот материал обладает лучшими на рынке характеристиками при сжатии и непревзойденной термостойкостью по сравнению с другими непрозрачными материалами FFKM. Это означает, что Isolast® Purefab JPF30 обеспечивает долговременную и надежную герметизацию при температурах до +300 °C.

Применение:

• Процессы травления: аэрация, сухое травление, озоление, зачистка
• Уплотнения крышки камеры
• Уплотнения на входе газа
• Дверцы щелевых клапанов с клеевым соединением
JPF20

Перфторэластомерное соединение с превосходной стойкостью к воздействию кислорода и плазмы на основе фтора, проявляющее отличные характеристики как в плазме, богатой радикалами, так и в плазме, богатой ионами. Благодаря усовершенствованной системе наполнения наночастицами Isolast® Purefab JPF20 обеспечивает максимальную устойчивость к воздействию плазмы при минимальном образовании частиц.

Применение:

• Процессы травления: сухое травление, аэрозольное травление, диэлектрическое травление
• Уплотнения крышки камеры
• Уплотнения плазменной насадки для душа и нагнетательной трубки
• Дверцы щелевых клапанов с клеевым соединением

JPF21

Универсальный перфторэластомер для травления, осаждения и термических процессов. Он обладает превосходной термостойкостью, которая обеспечивает постоянную стабильность при температуре до +320 °C с колебаниями до +327 °C.

Применение:

• Процессы травления: диэлектрическое травление
• Процессы осаждения: AND, PEALD, SACVD
• Термические процессы: окисление, диффузия, RTP
• Уплотнения крышки камеры
• Уплотнения плазменной насадки для душа и трубки подачи
• Склеенные дверцы щелевых клапанов

JPF30

Высокочистый полупрозрачный компаунд FFKM, разработанный для самых важных применений в полупроводниках. Этот материал обладает лучшими на рынке характеристиками при сжатии и непревзойденной термостойкостью по сравнению с другими непрозрачными материалами FFKM. Это означает, что Isolast® Purefab JPF30 обеспечивает долговременную и надежную герметизацию при температурах до +300 °C.

Применение:

• Процессы травления: аэрация, сухое травление, озоление, зачистка
• Уплотнения крышки камеры
• Уплотнения на входе газа
• Дверцы щелевых клапанов с клеевым соединением
Уплотнительное решение Varilip® PDR

Компания Trelleborg Sealing Solutions, являющаяся лидером в области разработки уплотнений, предлагает широкий спектр нестандартных и стандартных опций, основанных на технологиях производства пластмасс и металла. Выдающиеся, высокоэффективные уплотнения вращающегося вала Varilip® PDR состоят из уплотнительной кромки Turcon® из PTFE, которая удерживается в гофрированном или зажатом металлическом корпусе.

Эти многослойные уплотнения идеально подходят для использования в технологических насосах при производстве полупроводников, где они эффективно предотвращают попадание трансмиссионного масла в систему обработки и позволяют использовать систему защиты от инертного газа. Специально разработанные для интенсивного применения, они демонстрируют низкие характеристики трения и износа и обеспечивают практически универсальную химическую совместимость в чрезвычайно широком диапазоне температур.
Уплотнительное решение Varilip® PDR

Компания Trelleborg Sealing Solutions, являющаяся лидером в области разработки уплотнений, предлагает широкий спектр нестандартных и стандартных опций, основанных на технологиях производства пластмасс и металла. Выдающиеся, высокоэффективные уплотнения вращающегося вала Varilip® PDR состоят из уплотнительной кромки Turcon® из PTFE, которая удерживается в гофрированном или зажатом металлическом корпусе.

Эти многослойные уплотнения идеально подходят для использования в технологических насосах при производстве полупроводников, где они эффективно предотвращают попадание трансмиссионного масла в систему обработки и позволяют использовать систему защиты от инертного газа. Специально разработанные для интенсивного применения, они демонстрируют низкие характеристики трения и износа и обеспечивают практически универсальную химическую совместимость в чрезвычайно широком диапазоне температур.

Varilip® PDR

Уплотнительное решение Variseal®

Фторопластовые уплотнения Turcon® с пружинным приводом Variseal®, зарекомендовавшие себя в экстремальных условиях работы с газами и жидкостями, нашли применение в самых сложных областях применения технологии производства полупроводников, включая высокий вакуум и агрессивные среды.

При правильном выборе PTFE, наполнителей PTFE и соответствующего материала пружины и профиля Variseal®может обеспечить высочайший уровень целостности системы.
Уплотнительное решение Variseal®

Фторопластовые уплотнения Turcon® с пружинным приводом Variseal®, зарекомендовавшие себя в экстремальных условиях работы с газами и жидкостями, нашли применение в самых сложных областях применения технологии производства полупроводников, включая высокий вакуум и агрессивные среды.

При правильном выборе PTFE, наполнителей PTFE и соответствующего материала пружины и профиля Variseal®может обеспечить высочайший уровень целостности системы.

Variseal®

Классификация чистых помещений


Чистые помещения классифицируются в зависимости от количества и размера частиц, допустимых в расчете на объём воздуха. Прибор для дискретного подсчета частиц, рассеивающий свет, используется для определения концентрации частиц в воздухе, равной или превышающей указанные размеры, в специально отведенных местах отбора проб.

Чистым помещениям присвоен номер ISO в соответствии со стандартом ISO 14 644−1. Обычный воздух в помещении соответствует классу 1 000 000 или ISO 9.

Стандарты чистых помещений ISO 14 644−1

Классификация чистых помещений


Чистые помещения классифицируются в зависимости от количества и размера частиц, допустимых в расчете на объём воздуха. Прибор для дискретного подсчета частиц, рассеивающий свет, используется для определения концентрации частиц в воздухе, равной или превышающей указанные размеры, в специально отведенных местах отбора проб.

Чистым помещениям присвоен номер ISO в соответствии со стандартом ISO 14 644−1. Обычный воздух в помещении соответствует классу 1 000 000 или ISO 9.

Стандарты чистых помещений ISO 14 644−1

Автор: Максим Ионов

Менеджер по развитию партнеров

ООО "ЭКСПЕРТСИЛ"

Автор: Максим Ионов

Менеджер по развитию партнеров

ООО "ЭКСПЕРТСИЛ"